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IPB072N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB072N15N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5161
Rodo à Medida60R2666
Segmento de fita60R2666
Também conhecido porIPB072N15N3 G, SP000386664
Seu número de peça
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.110 | $ 4.11 |
| Total Preço | $ 4.11 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.110 |
| 10+ | $ 2.610 |
| 25+ | $ 2.410 |
| 50+ | $ 2.200 |
| 100+ | $ 2.010 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.420 |
| 2000+ | $ 1.420 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIPB072N15N3GATMA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK5161
Rodo à Medida60R2666
Segmento de fita60R2666
Também conhecido porIPB072N15N3 G, SP000386664
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Drain Source On State Resistance0.0072ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The IPB072N15N3 G is an OptiMOS™ 3 N-channel Power Transistor with low resistance, excellent switching performance, increased efficiency, excellent gate charge x R DS (ON) product (FOM) and smallest board-space consumption.
- Environment-friendly
- High power density
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Audio
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300W
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Alternativas para IPB072N15N3GATMA1
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto